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二极管 / 晶体管型号

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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):10μA@800V 正向浪涌电流(Ifsm):30A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)DB-S
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):30A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)DB-S
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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公开页面暂无产品说明。

Slkor(萨科微)DF-S
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。 100 至 1000 V-正向电流。 1.0 A。 快速反向恢复时间。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子ABF
二极管 / 晶体管整流桥
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60MIL

XUMAO(旭茂微)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本。 保证高温焊接:260°C/10秒,拉力5磅(2.3kg)。 体积小,安装简单。 高浪涌电流能力

MSKSEMI(美森科)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 正向电流:3.0A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

JUXING(钜兴)DBF
二极管 / 晶体管整流桥
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此款单相桥式整流二极管,采用MBF封装,最大输出电流为 1.0A,应用于:电源适配器、开关电源、家电设备、工业控制、汽车电子

MSKSEMI(美森科)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器

MDD(辰达半导体)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 塑料材质。 UL 可燃性 94V-0

JUXING(钜兴)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证,文件编号#E313149。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 高浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260°C。应用:用于开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的高频AC/DC桥式全波整流的通用用途

YANGJIE(扬杰)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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是一种交流转直流的全桥转换芯片,内部集成 20V 耐压的高压 N/P 型MOSFET。应用领域:整流桥、交流充电的手持设备、交流转直流应用、无线充电等。

巴丁微SOT-23-6L
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:快速反向恢复时间。专为表面贴装应用设计。玻璃钝化芯片结。低功耗,高效率。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

YFW(佑风微)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:额定电压达1000V PRVP。 浪涌过载额定值达30A峰值。 适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,结构可靠且成本低,产品价格低廉。 引脚可根据MIL-STD-202方法208进行焊接。 玻璃钝化芯片结。 塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级

LGE(鲁光)DB-S
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 非常适合自动组装。 节省印刷电路板上的空间。 超薄外形封装,适用于空间受限的应用。 低正向压降。 符合欧盟 RoHS2.0(2011/65/EU 和 2015/865/EU 指令)的无铅产品。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料(无卤)

PANJIT(强茂)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化结。 所使用的塑料材料具有UL 94V-0阻燃认证。 浪涌过载额定值达85A峰值。 适用于印刷电路板应用。 保证在265°C/10秒、5 lbs(2.3kg)拉力下可进行高温焊接

LGE(鲁光)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器

baocheng(宝乘)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:正向平均电流(IF(AV)):1A,反向重复峰值电压(VRRM):50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用

CJ(江苏长电/长晶)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V@1.5A 反向电流(Ir):10μA@800V 正向浪涌电流(Ifsm):50A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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