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二极管 / 晶体管型号

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直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V@1.5A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):50A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥配置 独立式;单向整流;正向压降(VF) 1.1V@3000mA;直流反向耐压(VR) 1000V;整流电流 3000mA;非重复峰值浪涌电流 (IFSM) 35A;反向电流 (IR) 5uA@1000V;工作结温范围 - 55°C~+150°C

TDD(台冠电子)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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这款GBP封装整流桥器件,专为在高电压环境下提供高效稳定的电源转换而设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保了在严苛条件下仍能可靠运行。其独特优势在于,在2A工作电流下正向压降VF低至1.1V,有效降低功耗并优化系统效率。尽管以低电流性能出色,该器件的最大连续输出电流可达3A(IO),展现出良好的电流处理能力。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景,是您电路设计的理想选择,助力实现高性能与高稳定性的完美融合。

HXY MOSFET(华轩阳电子)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.1V@2A 反向电流(Ir):10μA@800V 正向浪涌电流(Ifsm):50A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用整流器,可用于开关电源,PD快充等桥式整流

baocheng(宝乘)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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正向压降:1V@1A,直流反向耐压:1kV,整流电流:1A,适用于各类电源适配器转换等应用。

Huixin(慧芯)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特征和功能:高浪涌电流能力、低漏电流、环保 应用:消费电子、工业电源、家用电子、LED照明等

baocheng(宝乘)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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72MIL

XUMAO(旭茂微)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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此款KBP310-MS是一款性能出色的整流桥堆,采用扁桥样式,拥有卓越的电气性能与实用特性。其最高重复峰值反向电压VRRM达 1000V,能承受较高反向电动势,保障在高电压环境下稳定工作。最大平均正向整流电流I (AV)为3A ,可满足多种中等功率整流需求。

MSKSEMI(美森科)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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YBS3006-F1-0000HF

YANGJIE(扬杰)YBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:正向平均电流(IF(AV)):1A,反向重复峰值电压(VRRM):50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用

CJ(江苏长电/长晶)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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此款单相桥式整流二极管,采用MBF封装,最大输出电流为 1.0A,应用于:电源适配器、开关电源、家电设备、工业控制、汽车电子

MSKSEMI(美森科)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.1V@3A 正向浪涌电流(Ifsm):90A

SY(顺烨)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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60MIL

SHIKUES(时科)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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4.0A表面贴装玻璃钝化整流桥,薄型UMSB封装。

BLUE ROCKET(蓝箭)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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外壳:模压塑料体。引脚:镀锡,符合MIL-STD-750方法2026可焊接。极性:本体有极性符号标记。安装位置:任意

BORN(伯恩半导体)D3K
二极管 / 晶体管整流桥
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DB156-B1-0000HF

YANGJIE(扬杰)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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