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二极管 / 晶体管型号

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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.5V@3A 反向电流(Ir):5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm):70A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)MSBL
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:50至1000V。 正向电流:3.0A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

MSKSEMI(美森科)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。

DIODES(美台)SOPA-4
二极管 / 晶体管整流桥
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此款单相桥式整流二极管,采用MBF封装,最大输出电流为 1.0A,应用于:电源适配器、开关电源、家电设备、工业控制、汽车电子

MSKSEMI(美森科)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器

baocheng(宝乘)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。 100 至 1000V-正向电流。 2.0A-高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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VRRM(V):1000,IF (A):4.0,VF(V):1.0,DBS

XCH(旭昌辉)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。100 至 1000 V-正向电流。1.0 A-高浪涌电流能力。专为表面贴装应用设计

晶导微电子UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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此款GBP610-MS采用GBP扁桥封装,结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM:100V、最大平均正向整流电流I (AV) 6A; 电流下正向压降低、损耗小、效率高,反向漏电流极小、绝缘性优,引脚抗氧化导电可靠,可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流,LED 小夜灯驱动,小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

MSKSEMI(美森科)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 体积小,安装简单。 高浪涌电流能力。 采用模塑塑料技术,结构可靠,成本低。 保证高温焊接:260°C下持续10秒,拉力5lbs(2.3kg)。应用:通用单相桥式整流器应用

R+O(宏嘉诚)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):10μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm):35A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)WOB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:肖特基势垒芯片结构。 低正向压降。 低泄漏电流。 高正向浪涌能力。 专为表面贴装应用设计。 塑料材料-UL 阻燃性 94V-0

JUXING(钜兴)SOF2-4
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:额定值达1000V PRV。 浪涌过载额定值达50A峰值。 适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,结构可靠且成本低,产品价格实惠。 引脚可根据MIL-STD-202方法208进行焊接。 塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级。 重量:0.050盎司(1.42克)。 玻璃钝化芯片结

LGE(鲁光)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:扩散结。 低正向压降。 高电流能力。 高可靠性。 高浪涌电流能力。 适用于印刷电路板

Slkor(萨科微)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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此款单相桥式整流二极管,采用MBF封装,最大输出电流为 1.0A,应用于:电源适配器、开关电源、家电设备、工业控制、汽车电子

MSKSEMI(美森科)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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95MIL

XUMAO(旭茂微)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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50MIL(非标准版)

SHIKUES(时科)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器

baocheng(宝乘)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证文件编号:E469616。采用模塑塑料技术,可靠且低成本的结构。适用于印刷电路板。低正向压降。低反向漏电流。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片结

JUXING(钜兴)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证,文件编号#E313149。 高浪涌电流能力。 浸焊温度最高275°C,持续7s,符合JESD 22-B106。应用:用于开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的AC/DC桥式全波整流的通用用途

YANGJIE(扬杰)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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