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二极管 / 晶体管型号

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70MIL

SHIKUES(时科)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:塑料材料通过UL 94V-0认证。 低泄漏。 适用于印刷电路板。 符合MIL-S-19500环境标准。 符合欧盟RoHS 2.0标准,无铅

PANJIT(强茂)MDI
二极管 / 晶体管整流桥
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这款GBP封装整流桥器件,专为高效稳定电源转换打造。其拥有1000V的高反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全运行。在4A工作电流下,正向压降VF低至1.1V,有效减少功率损耗并提升系统能效表现。同时,器件支持最大连续输出电流4A(IO),提供卓越的电流处理能力及稳定性。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景,是您电路设计的理想选择,助您实现性能与可靠性的完美结合。

HXY MOSFET(华轩阳电子)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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这款GBP封装整流桥器件,是专为高效率电源转换应用设计的优质半导体元件。具备高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定工作。其特性包括在2A电流下正向压降VF低至1.1V,有效降低能耗并提升系统效能。尽管在小电流下表现出色,该器件的最大连续输出电流可达6A(IO),展现出卓越的电流承载和瞬态响应能力。适用于各类需要处理高电压、大电流瞬变的应用场景,是您电路设计的理想之选,助力实现高效可靠的电源转换解决方案。

HXY MOSFET(华轩阳电子)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:额定值达1000V PRV。适用于印刷电路板。采用模塑塑料技术,可靠且低成本。塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级

晶导微电子KBPC-5.5
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:反向电压:40至200V。 正向电流:2A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:IF(AV) 3A-VRRM 1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用

CJ(江苏长电/长晶)JBF
二极管 / 晶体管整流桥
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MDD(辰达半导体)D3K
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.1V@4A 正向浪涌电流(Ifsm):135A

NH(纽航)D3K
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级,适用于印刷电路板。 玻璃钝化结芯片。 低反向泄漏。 高正向浪涌电流能力。 保证在250°C/10秒的高温焊接条件下使用

Huixin(慧芯)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证,文件编号#E313149。 高浪涌电流能力。 浸焊最高275°C,持续7s,符合JESD 22-B106。应用:用于开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流/直流桥式全波整流的通用用途

YANGJIE(扬杰)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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PANJIT(强茂)MDI
二极管 / 晶体管整流桥
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此款GBL410-MS采用GBL扁桥封装,结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM:100V、最大平均正向整流电流I (AV) 4A; 电流下正向压降低、损耗小、效率高,反向漏电流极小、绝缘性优,引脚抗氧化导电可靠,可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流,LED 小夜灯驱动,小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

MSKSEMI(美森科)GBL
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):6A 正向压降(Vf):1.1V@3A 正向浪涌电流(Ifsm):175A

NH(纽航)KBL
二极管 / 晶体管整流桥
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100MIL

XUMAO(旭茂微)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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YBSM4008-F1-0000HF

YANGJIE(扬杰)YBS3
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化结。 所用塑料材料符合UL 94V-0阻燃等级。 浪涌过载额定值达170A峰值。 适用于印刷电路板应用。 保证265°C/10秒高温焊接

YFW(佑风微)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化结。 所用塑料材料具有UL 94V-0阻燃认证。 浪涌过载额定值高达50安培峰值。 适用于印刷电路板应用。 保证在265°C/10秒、5 lbs(2.3kg)拉力下可高温焊接

LGE(鲁光)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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84MIL

XUMAO(旭茂微)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)ULBF
二极管 / 晶体管整流桥
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