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二极管 / 晶体管型号

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50MIL

Hangyu(航昱微)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证,文件编号#E313149。 适合自动贴装。 高浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:用于电源、照明镇流器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的AC/DC桥式全波整流的通用用途

YANGJIE(扬杰)MBLS
二极管 / 晶体管整流桥
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0.8A,42MIL(非标准版)

晶导微电子MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 平均整流输出电流:0.8A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子UMB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000 V。 正向电流:0.8 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:50至1000V。 正向电流:3.0A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

Slkor(萨科微)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100 至 1000 V。 正向电流:0.8 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):30A

NH(纽航)DB-S
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥配置 独立式;单向整流;正向压降(VF)1.1V@400mA;直流反向耐压(VR)1000V;整流电流1000mA;非重复峰值浪涌电流(IFSM)35A;反向电流(IR)5uA@1000V;工作结温范围-55°C~+150°C

TDD(台冠电子)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥配置 独立式;单向整流;正向压降(VF)1.1V@400mA;直流反向耐压(VR)600V;整流电流1000mA;非重复峰值浪涌电流(IFSM)35A;反向电流(IR)5uA@600V;工作结温范围-55°C~+150°C

TDD(台冠电子)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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50芯片电流不同 电流1.2A

YFW(佑风微)ABF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:高电流能力。 低正向压降。 玻璃钝化芯片结。 低功耗,高效率。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

YFW(佑风微)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。 100 至 1000 V-正向电流。 1.2 A-高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:正向平均电流(IF(AV)):1A。重复峰值反向电压(VRRM):50V-1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用

CJ(江苏长电/长晶)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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正向压降:1.1V@2A,直流反向耐压:1kV,整流电流:2A,适用于各类电源适配器转换等应用。

Huixin(慧芯)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 平均整流输出电流:1A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)UMB
二极管 / 晶体管整流桥
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公开页面暂无产品说明。

Slkor(萨科微)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1V@1.5A 正向浪涌电流(Ifsm):35A

NH(纽航)DB-S
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:塑料封装通过UL 94V-0阻燃等级认证。 适用于印刷电路板。 玻璃钝化结芯片。 低反向泄漏。 高正向浪涌电流能力。 保证在250°C/10秒的高温焊接条件下,引脚正常

SY(顺烨)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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这款整流桥设计用于将交流电转换为直流电,具有600V的耐压能力和0.8A的额定电流。其正向电压降为1000mV,确保了在工作时较低的能量损耗与较高的效率。适用于需要稳定直流电源输出的各种电子装置中,如家用电器、消费电子产品等场景,能够有效满足对于电源转换的基本需求。

HXY MOSFET(华轩阳电子)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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