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二极管 / 晶体管型号

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NH(纽航)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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全自动组焊工艺

DIYI(迪一/芯诺)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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95MIL

XUMAO(旭茂微)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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正向压降:1.3V@4A,直流反向耐压:1kV,整流电流:4A,适用于各类电源适配器转换等应用。

Huixin(慧芯)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本的结构。 塑料材料具有U/L 94V-0阻燃等级。 安装位置:任意。 玻璃钝化芯片结

LGE(鲁光)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证,文件编号#E313149。 适合自动贴装。 高浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

YANGJIE(扬杰)YBS
二极管 / 晶体管整流桥
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描述: 120MIL 正向压降(Vf): 1.1V@20A 直流反向耐压(Vr): 800V 整流电流: 20A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):240A 工作结温范围:-55°C~+150°C@(TJ)

DDF(鼎德丰)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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正向压降(VF)0.88V@1A;最大反向耐压(VR):1000V;最大整流电流(IF):6A;最大正向浪涌电流(IFSM):170A;反向电流(IR):5uA

LGE(鲁光)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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描述: 100MIL 正向压降(Vf): 1.1V@10A 直流反向耐压(Vr): 600V 整流电流: 10A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A 工作结温范围:-55°C~+150°C@(TJ)

DDF(鼎德丰)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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这款GBU封装的整流桥器件,专为高效能电子系统设计。其卓越性能体现在800V的直流反向耐压及8A的平均整流电流,确保在高电压大电流环境下稳定工作。正向压降低至1.1V@8A,有效降低功耗,提升系统效率。而反向电流仅为5uA@800V,展现出出色的阻断性能,适用于各类需要高品质半导体器件的应用场景。

HXY MOSFET(华轩阳电子)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。适用于印刷电路板。玻璃钝化结芯片。低反向泄漏电流。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接性能,可在50°C下持续10秒

LGE(鲁光)D3K
二极管 / 晶体管整流桥
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此款GBU810-MS采用GBU扁桥封装,核心参数:最高重复峰值反向电压VRRM:1000V,可抗高反向电动势;最大平均正向整流电流 I(AV)8A,稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于:开关电源、充电器前端整流;LED照明驱动稳流减闪烁;冰箱、洗衣机等家电交直转换;太阳能小功率逆变器前段;小型通信设备电源模块。

MSKSEMI(美森科)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化结。所用塑料材料通过UL 94V-0阻燃认证。建议过载额定值达200安培峰值。适用于印刷电路板应用。保证265°C/10高温焊接

LGE(鲁光)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证文件编号:E469616。 玻璃钝化芯片结。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本的结构。 适用于印刷电路板。 低正向压降。 低反向漏电流。 高浪涌电流能力

JUXING(钜兴)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V@4A 正向浪涌电流(Ifsm):200A

NH(纽航)D3K
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证,文件编号E230084。 适用于印刷电路板。 高浪涌电流能力。 浸焊温度最高275°C,持续7秒,符合JESD 22-B106标准。应用:用于显示器、电视、打印机、电源、开关电源、适配器、音频设备和家用电器的通用AC/DC桥式全波整流

YANGJIE(扬杰)D3K
二极管 / 晶体管整流桥
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肖特基桥

YFW(佑风微)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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VRRM = 1000V; IF(AV) = 15A; IFSM = 220A

MP(美禄科技)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化结。 所使用的塑料材料具有UL 94V-0阻燃认证。 浪涌过载额定值达200安培峰值。 适用于印刷电路板应用。 保证265°C/10的高温焊接

LGE(鲁光)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化结。 所用塑料材料具有UL 94V-0阻燃认证。 建议过载额定值达200安培峰值。 适用于印刷电路板应用。 保证265°C/10高温焊接

LGE(鲁光)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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