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二极管 / 晶体管型号

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特性:玻璃钝化芯片结构。 额定电压达800V PRV。 适用于印刷电路板。 采用模制塑料,结构可靠。 UL认证编号E94661。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,是“绿色”器件

DIODES(美台)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度1500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值达240A峰值。 适用于印刷电路板应用。 塑料材料-UL可燃性等级94V-0。 UL列于认可组件索引下,文件编号E94661

LGE(鲁光)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥 15A 1000V

TDSEMIC(拓电半导体)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):15A 正向压降(Vf):1.1V@7.5A 反向电流(Ir):10μA@800V 正向浪涌电流(Ifsm):220A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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GPP芯片、高效、符合欧盟RoHS

YFW(佑风微)D3K
二极管 / 晶体管整流桥
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特征和功能:高浪涌电流能力、低漏电流、环保 应用:消费电子、工业电源、家用电子、LED照明等

baocheng(宝乘)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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VRRM(V):1000,IF (AV)(A):25,KBJ

XCH(旭昌辉)KBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V@4A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):175A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V@4A 反向电流(Ir):10μA@800V 正向浪涌电流(Ifsm):175A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:高电流能力。 低正向压降。 玻璃钝化芯片结。 专为表面贴装应用设计。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令

YFW(佑风微)TTF
二极管 / 晶体管整流桥
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KBU

LGE(鲁光)KBU
二极管 / 晶体管整流桥
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LGE(鲁光)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本。 塑料材料具有U/L 94V-0阻燃等级。 安装位置:任意。 玻璃钝化芯片结

LGE(鲁光)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本。 适用于印刷电路板。 低正向压降。 低反向漏电流。 高浪涌电流能力

JSMSEMI(杰盛微)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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140MIL

XUMAO(旭茂微)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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VRRM = 1000V; IF(AV) = 10A; IFSM = 180A

MP(美禄科技)KBU
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V@4A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):200A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)KBU
二极管 / 晶体管整流桥
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BORN(伯恩半导体)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:Io 8A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用

CJ(江苏长电/长晶)KBU
二极管 / 晶体管整流桥
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84MIL

XUMAO(旭茂微)KBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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