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特性:总功耗:最大1.5W。 宽齐纳反向电压范围3.6V至200V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装

3W SMB封装贴片稳压管

特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性

采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V

特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V

特性:完整电压范围 3.3 至 200 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

公开页面暂无产品说明。

特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

特性:Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。 玻璃钝化芯片。 标记条指示阴极。应用:稳定电压

IZT(mA)96.1

特性:完整电压范围 3.3 至 200 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

塑封稳压管

特性:完整电压范围3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

DIODE ZENER 5.6V 250mW

特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

公开页面暂无产品说明。

特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件

特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供