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开关二极管 二极管配置:1对共阴极;正向压降(Vf):1.25V@150mA;直流反向耐压(Vr):75V:平均整流电流(Io):150mA;功率:200mW;反向电流(Ir):2.5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns

高速开关二极管,采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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特性:高电压,电流控制的射频电阻器,适用于射频衰减器和开关。 低二极管电容。 低二极管正向电阻。 低串联电感。 适用于高达3 GHz的应用。应用:射频衰减器和开关

特性:无卤“绿色”器件。 无铅涂层/符合RoHS标准。 玻璃钝化芯片。 超快速开关,效率高。 适用于表面贴装应用。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1

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特性:快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

表面贴装肖特基势垒整流器,反向电压20至200V,正向电流2.0A

这款开关二极管具有0.2安培的正向电流(IF),能承受高达200伏特的反向电压(VR),其正向电压降(VF)为1.25伏特,并且在室温下反向漏电流(IR)仅为0.1微安,支持的最大瞬态正向浪涌电流(IFSM)为2安培。这些特点使得它成为高频信号处理的理想选择,适用于各种需要快速切换的应用场景,如电子设备中的逻辑电平转换或保护电路等。

电流:200mA 电压:75V

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BAS21TMR6T1G 器件在 SC-74 表面贴装封装内承载三个高电压开关二极管。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

特性:快速开关速度。 超小表面贴装封装。 适用于通用开关应用。 高电导功率耗散

特性:快速开关速度。 超小表面贴装封装。 适用于通用开关应用。 高电导功耗

该肖特基二极管为独立式配置,额定正向电流(IF)为0.2A,反向重复峰值电压(VR)达100V。其正向压降(VF)为1.24V,在较高反向耐压下仍保持合理的导通特性;反向漏电流(IR)低至0.5μA,有助于减少静态功耗。器件可承受2A的正向浪涌电流(IFSM),适用于对反向电压要求较高且需低漏电性能的整流、箝位及开关保护电路。

特性:快速开关速度。 超小表面贴装封装。 适用于通用开关应用。 高电导功耗

特性:小封装。 小总电容:CT = 1.2 pF(最大值)。 低串联电阻:rs = 0.6 Ω(典型值)。应用:VHF调谐器频段切换应用

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特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 可提供AEC-Q101认证(需咨询具体型号)。 基础型号为G3-绿色,商业级

特性:快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产