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二极管 / 晶体管型号

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特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 也提供绿色模塑料版本。 无卤素和锑。“绿色”器件

DIODES(美台)TO-220AB-3
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:超低正向压降。 出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 也有绿色模塑料版本。 无卤素和锑的“绿色”器件

DIODES(美台)ITO-220AB
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:设计用作太阳能电池板的旁路二极管。 最高结温选择性额定为 +200°C,具有高耐热可靠性。 采用专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 具有高正向浪涌能力。 超低正向压降。 具有出色的高温稳定性。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,为“绿色”器件

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 “绿色”模塑料(无溴、锑)。 符合AEC-Q101高可靠性标准

DIODES(美台)TO-252(DPAK)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:超低正向压降。 出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 150°C工作结温。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 也提供绿色模塑料版本

DIODES(美台)TO-220AB-3
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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MICROCHIP(美国微芯)DO-216
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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DIODES(美台)TO-252(DPAK)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅涂层;符合RoHS标准。 也有绿色模塑料版本。 无卤素和锑,“绿色”器件

DIODES(美台)ITO-220AB
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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封装于坚固的行业标准TO263AB (D2PAK) 封装中,提供极低的正向电压VF和出色的高温反向泄漏稳定性。适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

DIODES(美台)D2PAK
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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DIODES(美台)TO-262
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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提供非常低的正向压降(VF),并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。可作为整流器、续流二极管或阻塞二极管使用。

DIODES(美台)ITO-220AB
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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双二极管

DIODES(美台)TO-220AB
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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双二极管

DIODES(美台)TO-220-3
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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DIODES(美台)TO-220-3
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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SBR2M60S1F是一款采用SOD123F封装的单整流器,具有极低的正向压降(VF),并在高温环境下具备出色的低反向漏电流稳定性。

DIODES(美台)SOD-123F
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 也有绿色模塑料版本

DIODES(美台)TO-263AB(D2PAK)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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提供极低的正向电压(VF),并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。适用于作为整流器、续流二极管或阻塞二极管。

DIODES(美台)TO-263AB(D2PAK)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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采用紧凑且散热高效的 POWERDI5 封装,提供低正向压降 (VF),并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

DIODES(美台)PowerDI-5
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理:符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性(仅适用于D2PAK / TO263)。 具备生产件批准程序(PPAP)能力。 也有绿色模塑料版本

DIODES(美台)TO-263AB(D2PAK)
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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提供低正向电压、低功耗和高效率,适用于一般整流应用,可作为升压二极管、阻塞二极管。

DIODES(美台)SOD-123F
二极管 / 晶体管超势垒整流器(SBR)
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