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可变电容二极管采用平面技术制造,并封装在SOD323超小型塑料SMD封装中。通过滑动匹配和直接匹配组装程序实现了出色的匹配性能。

特性:高电容比:C1V / C4V = 4.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器

特性:优秀的线性度。 电容比:C(0.5V)/C(5.0V) = 3.25(典型值)。 低串联电阻:rs ≤ 0.8Ω。 封装:SOD-323。应用:FM收音机中的频率调制。 通信设备中的FM和AFC

是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件采用OMCVD外延片制造,工艺旨在实现高器件均匀性和极低寄生效应。该二极管采用氮化硅完全钝化,并额外有一层聚酰亚胺用于防刮保护。这些保护涂层可防止在自动或手动操作过程中对结造成损坏。倒装芯片配置适用于贴装插入。

特性:高电容比:C2V/C25V = 8.5(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4 Ω(典型值)。 出色的C-V特性,跟踪误差小。 适用于小尺寸调谐器

特性:高电容比:C1V / C4V = 4.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器

特性:优秀的线性度。 高电容比:C1(1V) / C4(4V) > 6.2。 低串联电阻:rs ≤ 0.6 Ω。 封装:SOD-323

特性:超低串联电阻:rs = 0.2Ω(典型值),适用于小尺寸设备

特性:高电容比。 高Q超突变调谐二极管。 低串联电阻。 专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。 极低的电容散布。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101标准认证

特性:小封装。 高电容比:C1V / C4V = 3.0(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.27Ω(典型值)

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硅突变结变容二极管适用于需要严格电容公差的压控振荡器(VCO)。这些变容二极管的低电阻使其适用于无线系统 VCO 中频率高于 10 GHz 的高 Q 谐振器。该系列变容二极管具有随温度变化的电容特性。

特性:高电容比:C1V / C4V = 4.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器

变容二极管

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特性:高电容比:C1V / C4V = 2.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.42Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器

特性:小封装。 高电容比:C1V / C4V = 3.0(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.27Ω(典型值)

特性:适用于扩展频段的FM收音机调谐器。 低电源电压下具有高调谐比(汽车收音机)。 单片芯片(共阴极),可实现完美的双二极管跟踪。 C-V曲线具有良好的线性度。 高品质因数。 无铅(符合RoHS标准)封装