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5.1V 300mW

特性:完整电压范围:3.3至200V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件

特性:1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准

特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装

特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准

通用齐纳二极管,采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:硅平面功率齐纳二极管,用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

特性:完整的电压范围:3.3至200V。 高反向峰值功耗。 高可靠性。 低泄漏电流。 无铅/符合RoHS标准

特性:用于表面贴装的薄型封装(平整的操作表面,便于精确贴装)。 齐纳电压 5.1V 至 200V。 可提供卷带包装(参见 E1A 标准 RS-481)。 湿度敏感度等级 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅涂层/符合 RoHS 标准

特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

特性:完整电压范围3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流。 无铅/符合RoHS标准

通用齐纳二极管,采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

SMBJ5339B 5W 5.6V LGE 339B

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管,其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装,可在所有常见环境条件下提供保护。

特性:完整电压范围3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流。 无铅/符合RoHS标准

中功率电压调节二极管,采用SOT89塑料贴片封装。二极管在归一化E24近似±5%公差范围内提供。该系列由37种类型组成,标称工作电压为2.4至75 V。

Femtofarad双向静电放电(ESD)保护二极管采用无引脚超小型SOD882表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态损害。极低的电容、高ESD最大额定值和超小型封装的组合,使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

低功耗稳压二极管,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管的公差范围为标准化E24的±1%、±2%和大约±5%。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压范围为2.4V至75V。