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特性:高Q超突变调谐二极管。 专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。 低反向电压下的高比率。 无铅(符合RoHS标准)封装

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是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件采用OMcVD外延片制造,工艺旨在实现高器件均匀性和极低寄生效应。该二极管采用氮化硅完全钝化,并额外有一层聚酰亚胺用于防刮保护。保护涂层可防止在自动或手动操作过程中对结造成损坏。倒装芯片配置适用于贴装插入。

特性:高电容比:C1V / C4V = 4.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器

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硅超突变结变容二极管设计用于低调谐电压操作的压控振荡器(VCO)。这些变容二极管的低电阻使其适用于无线系统VCO中的高Q谐振器,频率可超过10 GHz。该系列变容二极管的电容和电阻具有随温度变化的特性。

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DIODEVARACTOR10VUSC

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是一种可变电容二极管,采用平面技术制造,并封装在SOD523(SC-79)超小型SMD塑料封装中。

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是一种具有公共阴极的可变电容双二极管,采用硅平面技术制造,并封装在SOT23小型塑料贴片封装中。

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设计用于低调谐电压操作的压控振荡器 (VCO)。该组变容二极管的电容和电阻会随温度变化。

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