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特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.4V至39V。 小型塑料封装,适用于表面贴装设计。 公差约 ±5%

精度5% 0.2W 7.5V 较低IR

特性:平面芯片结构。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本。应用:手机

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特性:平面芯片结构。 150mW功率耗散。 齐纳电压范围为2.4-43V

特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值温度为260°C。应用:稳压电源中的参考电压源。 过压保护电路中的保护二极管

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特性:低齐纳阻抗。 功率耗散:150mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源,或用作过压保护电路中的保护二极管。

低功耗电压调节二极管,采用小型SOD323 (SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装。二极管的公差范围为标准化的E24 ±1%、±2%和近似±5%。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压范围为2.4 V至75 V。

MS代表品牌

稳压值(标称值):6.2V 稳压值(范围):6.08V~6.32V 精度:±2% 功率:150mW

特性:平面芯片结构。300mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-43V。超小表面贴装封装功率耗散

特性:平面芯片结构。 150mW功率耗散。 齐纳电压范围为2.4-43V

特性:平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装工艺

低功耗电压调节二极管,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压从2.4 V到75 V。

0.9V,250mW

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编带 独立式 耐压:5.6V 电流:10uA@2V

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