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二极管 / 晶体管型号

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特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V

Nexperia(安世)SOD-80C
二极管 / 晶体管稳压二极管
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通用齐纳二极管,采用SOT23(TO-236AB)小型表面贴装器件(SIMD)塑料封装。

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围:3.6至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围 3.3 至 200 伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

LGE(鲁光)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围:3.3至200V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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1SMA5929B 15V SMA LGE 929B

LGE(鲁光)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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低功耗电压调节二极管,采用小型SOD323 (SC-76)表面贴装器件(SMD)塑料封装。二极管的公差范围为标准化的E24 ±1%、±2%和近似±5%。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压范围为2.4 V至75 V。

Nexperia(安世)SOD-323(SC-76)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低漏电流

LGE(鲁光)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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广泛用于电源电路,用于稳压和过压保护,电源储能、工控电路、通讯设备、智能控制

GOODWORK(固得沃克)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围:3.6至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)DO-41
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整的电压范围:3.3至240伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:平面芯片结构。 小表面贴装封装。 通用。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

DIODES(美台)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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通用贴片稳压二极管,精度5%,较低的IR漏电流

MDD(辰达半导体)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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IZT(mA)76

CJ(江苏长电/长晶)SMAG
二极管 / 晶体管稳压二极管
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11V 300mW

Nexperia(安世)SOD-323(SC-76)
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:完整电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流

LGE(鲁光)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装

onsemi(安森美)SMB
二极管 / 晶体管稳压二极管
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Nexperia(安世)SOD-323
二极管 / 晶体管稳压二极管
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