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特性:VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

特性:VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:接口负载开关

特性:VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用:电池保护。 负载开关

应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

60V N通道增强模式MOSFET

使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该器件适合用作负载开关或其他通用应用。

60V N通道增强模式MOSFET

N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V

特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压(VDS):30V。 漏极电流(ID):5.8A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON)):< 27mΩ(VGS = 10V);< 31mΩ(VGS = 4.5V);< 48mΩ(VGS = 2.5V)

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制

N沟道,60V,3A,105mΩ@10V

N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V

特性:低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V),适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装,节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理,如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

特性:无卤,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:负载开关

适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

特性:无铅产品。表面贴装封装。应用:负载开关。PWM应用