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N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V

特性:TrenchFET功率MOSFET。 无铅产品。 表面贴装封装。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

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特性:超低导通电阻:当VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 5.8A时,RDS(ON) ≤ 28mΩ。适用于PWM应用。适用于负载开关应用。表面贴装器件

特性:高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力

P沟道,-30V,-4.1A,60mΩ@-10V

N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V

N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V

防静电,应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

P沟道,-12V,-4.1A,45mΩ@-4.5V

P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

CJAC70P06采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

5N10-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。5N10-MS符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。

特性:VDS = 30V。 ID = 5.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 27mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 33mΩ。 Trench Power LV MOSFET technology。 Voltage controlled small signal switch。应用:Battery protection。 Load switch

N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V