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特性:100V/95A,RDS(ON) = 4.6mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理

特性:60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ(典型值) @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ(典型值) @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件(符合 RoHS 标准)。应用:开关应用。 DC/DC 电源管理

特性:适用于高频开关。 针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤。 适用于标准等级应用

CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

特性:VDS = -30V。I0 = -4.4A。RDS(on)@VGS = -10V < 55mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 68mΩ。RDS(on)@VGS = -2.5V < 96mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。应用:电池保护。负载开关

特性:VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 便携式设备的负载开关。应用:电池保护。 负载开关

N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V

N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V

特性:VDS = -20V。 I0 = -5.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

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使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至1.0V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。

P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V

此款N沟道MOS管采用SOT-23封装,他具备低内阻,低功耗,搭载连续漏极电流(Id):300MA,VDSS:60V,被广泛应用于各种电子设备中,包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用,是你PCB中理想的7002

适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

2300采用沟槽处理技术设计,可实现极低的导通电阻,具备快速开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种DC-DC应用的高效可靠器件。

特性:VDSS = -20V。 I0 = -2.3A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 112mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 142mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池供电系统。 固态继电器

N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

特性:VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:接口。 负载开关

特性:VDSS = 20V。 I0 = 4.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关