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N沟道,30V,100mA

特性:VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V

P沟道,50V,180mA

N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V

特性:VDS = 20V。 ID = 6.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 22mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 26mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

N-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

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ST3422A是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理,以及其他需要高端开关的电池供电电路

特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压(VDS):-30V。 漏极电流(ID):-12A。 导通电阻(RDS(ON))< 20mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用

N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V

特性:TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用:适配器开关。 电池开关

40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ(典型值)。在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 1.05mΩ(典型值)

这款N沟道功率MOSFET采用了STripFETTM F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关性能。

特性:高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(on)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V

特性:VDS =-30V。 ID =-2.6A。 RDS(on)@VGS =-10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS =-4.5V < 150mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

双N沟道,60V,320mA

采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。