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特性:VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 负载开关

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P- 通道增强模式垂直扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装

特性:VDS = -60 V。 ID = -5.5 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 66 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 88 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电源管理开关。 电池保护应用

特性:VDS = 40V。 ID = 48A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6.5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 便携式设备应用

此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

N沟道,55V,17A,75mΩ@10V

N沟道,100V,192A,4.2mΩ@10V

N沟道,150V,104A,11mΩ@10V

大电流SGT MOSFET产品

带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

这款N型场效应管,适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V,确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。

这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。

N沟道,60V,0.115A,225mW

1个N沟道 耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制

N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V),ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V),ID = 3.1A。应用:电池保护。 其他开关应用

特性:VDS(V)-20V,Ip = -2.8A。 RDS(ON)<0.112Ω(VGS = -4.5V)。 RDS(ON)<0.142Ω(VGS = -2.5V)。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

N沟道,30V,0.1A,13Ω@2.5V