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N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V

N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

N沟道,100V,150mA

MOSFET,小信号,60 V,380mA,单 N 沟道,SOT-23

特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON):在 -4.5V时为36mΩ,在 -2.5V时为60mΩ。 出色的导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。应用:负载开关。 PWM应用

功率 MOSFET 170 mA,100 V,N 沟道 SOT-23

P沟道,-30V,-4.2A,70mΩ@-4.5V

特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 40V。 ID = 5.6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = 4.5V)

特性:1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产,用于最大限度地减少导通电阻,同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。

MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23

公开页面暂无产品说明。

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CJ2309A采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(on)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。

N沟道 100V 2A,210毫欧,,比BSS123电流大。

N沟道,20V,6.5A,22mΩ@4.5V

P沟道,40V,5.3A,85毫欧。

特性:4.5V VGS时极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。 符合RoHS标准。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器

使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。

双N沟道,60V,5A,26毫欧,并联用可达10A,