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特性:漏源电压(VDS):40V。 漏极电流(ID):50A。 栅源电压为10V时的导通电阻(RDS(on)@VGS = 10V):< 14mΩ。 栅源电压为4.5V时的导通电阻(RDS(on)@VGS = 4.5V):< 18mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 负载开关

特性:VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路

P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V

特性:60V/170A,RDS(ON) = 2.1mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V,RDS(ON) = 3.2mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件(符合RoHS标准)。应用:高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用

特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤

特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7 Ω(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 640 V)。 增强模式:Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用:开关稳压器

特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。 低漏电流:IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。 增强模式:VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用:开关稳压器

CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A适用于电源开关和信号控制

特性:TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性,应用于充电器、电源转换等场合,提供高效能、稳定可靠的功率控制方案,是各类电子设备的理想选择。

AO3401CI - MS 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。AO3401CI - MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A适用于电源开关和信号控制

特性:高密度单元设计,实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A适用于电源开关和信号控制

特性:VDS = 30V。 I0 = 2.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 50mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 58mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型SOT883(SC - 101)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 适用于负载开关或PWM应用。 具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)