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特性:优秀的导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 低栅极电压。应用:负载开关。 PWM应用

特性:VDS(V)=60V。 ID = 3A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = 10V), ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ (VGS = 4.5V), ID = 1.9A。应用:负载电源开关。 接口开关

特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用

特性:VDS(V)=60V。 ID = -1.25A(VGS = -10V)。 RDS(ON)<340mΩ(VGS=-10V)。 RDS(ON)<550mΩ(VGS=-4.5V)。应用:负载功率开关。 接口

N沟道,60V,0.265A,2.8Ω@10V

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

P沟道,-30V,-4.2A,48毫欧@10V。

这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(on))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

P沟道,-20V,-3.6A,35mΩ@-4.5V

此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

AOD407采用先进的沟槽技术,可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性,该器件非常适合大电流负载应用。

P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用:电池保护。负载开关

N沟道,100V,17A,105mΩ@10V

特性:小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计。 低RθJC,以减少传导损耗。 低QG和电容,以减少驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准

N-MOS管 30V150A

功率 MOSFET,40 V,1.4 mΩ,200 A,单 N 沟道

特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:半桥和全桥拓扑。 同步整流应用

N沟道