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NCE01P30K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景,具备静电放电(ESD)保护功能。

N沟道,200V,94A,23mΩ@10V

带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

这款N型场效应管,适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为:最大电流0.3A,耐压60V,内阻典型值1000mR,栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用,确保电路稳定高效。

适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

防静电,应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

N沟道,60V,0.2A,RDS(on) = 3.5Ω@5V

此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流高达3A。具备低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器、电源管理及各种电子设备的负载切换与高效功率控制场景。

特性:VDSS = 50V。 ID = 340mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 2.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 3.0Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关

应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

特性:V(BR)DSS = 20V。 Ip = 6A。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 34mΩ(VGS = 2.5V)。 TrenchFET Power MOSFET。应用:电池保护。 负载开关

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P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@4.5V

应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

公开页面暂无产品说明。

N沟道,60V,0.115A,7Ω@5V

小体积

特性:VDS = 20V。 ID = 5.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关

N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V;FDV301N的大电流版本