P沟道
YANGJIE(扬杰)SOT-23(TO-236)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:VDS(V)=40V。 RDS(ON)<70mΩ(VGS=10V), ID=- 4.4A。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V), ID=- 3.5A。应用:DC/DC转换器
UMW(友台半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压40V,支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器、电源转换等应用,为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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NCE6003X采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
NCE(无锡新洁能)SOT-23
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N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V
DIODES(美台)SOT-523
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P沟道,-30V,-3.8A,70mΩ@-10V
DIODES(美台)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:VDS = 20V, ID = 6A。 RDS|ON < 23mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS|ON < 35mΩ @ VGS = 4.5V。应用:负载/电源开关。 接口开关
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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使用先进的沟槽技术和设计,提供低栅极电荷和出色的导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
NCE(无锡新洁能)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:-30V, -10A。 RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 34mΩ @ VGS = -4.5V。 Trench DMOS功率MOSFET。 快速开关。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
ALLPOWER(铨力)SOP-8
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅产品。应用:负载/电源开关。 接口
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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G表示SOT-223封装
UMW(友台半导体)SOT-223
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)TO-236AB
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AOSSOIC-8
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N沟道,最大电流6.3A@VGS=4.5V,VDS=20V
Infineon(英飞凌)SOT-23
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N沟道,30V/80A,5.5毫欧。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:60V,-25A,RDS(ON) < 60mΩ @VGS = -10V,典型值50mΩ;RDS(ON) < 72mΩ @VGS = -4.5V,典型值60mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
ALLPOWER(铨力)PDFN-8(3x3)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装出色的热阻,该器件非常适合大电流应用。
UMW(友台半导体)TO-252
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N沟道,20V,1A
DIODES(美台)SOT-323
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N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装
Nexperia(安世)SOT-23
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P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V
AOSSOIC-8
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