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特性:VDS = 100 V。ID = 10 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 30 mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用:电信/服务器。DC/DC初级侧开关

P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V

N沟道,200V,5A,600mΩ@10V

P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用 4 凸点晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)。

N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V

N沟道,40V,110A,2.4mΩ@10V

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

N沟道 30V 0.85A

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V

特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

特性:ESD(HBM) 等级:2 kV。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA

特性:VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器

应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

特性:RDS(ON) ≤ 85mΩ @ VGS =-4.5V, ID =-3.0A 。 RDS(ON) ≤ 115mΩ @ VGS =-2.5V, ID =-1.0A 。 低导通电阻。 适用于低功率 DC-DC 转换器和负载开关应用。 表面贴装器件

MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23

特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:接口。 开关