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适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:VDS(V)=60V。 I=3A。 RDS(ON)<80mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V)。应用:负载电源开关。 接口

特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):-20V。 导通电阻RDS(ON) < 40mΩ(VGS = -4.5V,ID = -4.2A)。 导通电阻RDS(ON) < 50mΩ(VGS = -2.5V,ID = -3.4A)

特性:VDS(V)=-12V。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS =-4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) < 125mΩ (VGS =-1.8V)。 超低导通电阻P沟道MOSFET。 快速开关

AP2003采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于众多其他应用。

高密度电池设计,可实现极低的RDS。

应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

特性:高密集单元设计,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。 坚固可靠。 外壳材料:模塑塑料

AO3400A是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。AO3400A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V

N沟道,30V,4A,55mΩ@10V

P沟道,-30V,-4.2A,70mΩ@-10V

本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装,集成双N沟道设计,额定电压20V,可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造,适用于各类消费电子产品,提供出色的系统性能与稳定性表现。

特性:沟槽功率技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行优化。应用:DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

特性:1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用:电源管理开关应用

特性:优秀的RDS(ON)。 低栅极电荷。 低栅极电压。应用:负载开关。 PWM应用

该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子