P沟道,-30V,-4.1A,60毫欧。
NCE(无锡新洁能)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
UMW(友台半导体)SOP-8
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供出色的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
MSKSEMI(美森科)TO-252-2
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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P沟道,20V,2A
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
ALLPOWER(铨力)PDFN3333-8
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P沟道,-60V,-300mA
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N沟道,60V,5A,35mΩ@10V
NCE(无锡新洁能)SOT-223-3L
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:VDS = -60V。 I0 = -4.3A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 130mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 190mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计,超低Rdson。应用:电池保护。 负载开关
R+O(宏嘉诚)SOT-223
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N-CH
AOSDFN-8(3x3)
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N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
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WSP4984是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSP4984符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
WINSOK(微硕)SOP-8
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使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这是一种通用器件,适用于广泛的功率转换应用。
AOSSOIC-8
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N沟道,Vds=40V,Id=80A
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
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N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
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N沟道100 V、0.007 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
ST(意法半导体)PowerFLAT-8(5x6)
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P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
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HSBB6115 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSBB6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100% 保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
HUASHUO(华朔)PRPAK3x3-8L
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先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低RDS(ON)。100%保证EAS。有绿色环保产品可供选择
HUASHUO(华朔)PRPAK3x3-8L
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MOS全桥
Infineon(英飞凌)SO-8
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