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此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

特性:N 通道,正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。150°C工作温度。无铅镀铅;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

N沟道 60V 43A

该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。

N沟道 150V 33A

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

N沟道,100V,78A,7.2mΩ@10V

低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=150V Id=135A Rds=6.2mΩ(7.3mΩ最大) TO-220封装

特性:N 沟道,标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175°C 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流

P沟道,-30V,-20A,4.6mΩ@-10V

1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA适用于电源开关和信号控制

P沟道,-20V,-2A,82mΩ@-4.5V,-2.0A;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

特性:20V,-3A,RDS(ON) < 75mΩ @VGS = -10V,典型值:58mΩ;RDS(ON) < 95mΩ @VGS = -4.5V,典型值:74mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用:接口。 开关

适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

特性:30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。 适用于2.5V栅极驱动应用。应用:笔记本电脑。 负载开关

N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,额定电压30V,可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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