海量元器件型号，
快速搜索匹配。

适用于电池管理,高速开关,低功率 DC-DC 转换。

适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

小体积

1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用:接口。 开关

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A

特性:ESD 保护。 低导通电阻(RDS(on))。 小尺寸表面贴装封装。 2V 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)且符合 RoHS 标准。应用:低端负载开关。 电平转换电路

P沟道,-12V -4.3A

使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。

这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

1个N沟道 耐压:100V 电流:5A适用于电源开关和信号控制

适用于电源开关和信号控制

P沟道,-20V,-0.46A,0.7Ω@-4.5V

P沟道,-30V,-1.9A,190mΩ@-10V

AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景,具备静电放电(ESD)保护功能。

P沟道,-20V,-1.4A,100mΩ@-4.5V

先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计,实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装

N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V

特性:20V MOSFET技术。 低导通电阻。 快速开关。 Vgs ±12V。应用:功率开关应用。 负载开关