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特性:SOT-23。 快速开关。 低栅极电荷和RDS(on)。 VDS = -100V,ID = -1A时,RDS(on) < 650mΩ @VGS = -10V。应用:PWM应用。 负载开关

P沟道,-12V,-6A,28mΩ@-4.5V

P沟道,-20V,-4.3A,74mΩ@-4.5V

这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。

功率 MOSFET,500 mA,60 V,N 沟道,SOT?23

特性:30V,15A。 RDS(ON) < 8mΩ(VGS = 10V,典型值6.5mΩ)。 RDS(ON) < 13mΩ(VGS = 4.5V,典型值10.2mΩ)。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V,0.22A,1.6Ω

特性:低栅极电荷,实现快速开关。小尺寸封装,比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品,符合RoHS标准。应用:低端负载开关。锂离子电池供电设备,如手机、个人数字助理、数码相机

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

特性:低导通电阻:VDS = -30V,ID = -5.1A,RDS(ON) ≤ 55mΩ,VGS = -10V。 低栅极电荷。 适用于负载开关或PWM应用。 表面贴装器件

P沟道,-30V,-12A,9.5mΩ@10V,-12A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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N沟道,30V,5A,32mΩ@10V

特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):60V。 漏极电流(ID):20A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 23mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 29mΩ(VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品

N沟道,30V,5.3A,27mΩ@10V

使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V

P沟道,-30V,-62A,79W,8mΩ@-10V,-20A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V