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6.8A,N-MOS

HSBB0012是新一代MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高效电源管理应用。HSBB0012符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。

特性:AFC-Q101合格。 175°C MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ(典型值)(@VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器

特性:VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电池保护。 负载开关

特性:采用先进的沟槽技术设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 符合Rohs标准。 快速开关。 低反向传输电容。 低导通电阻。 低栅极电荷

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N-Channel-MOS-FetPMV30UN2R

特性:VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。 超低栅极阻抗。 完全表征雪崩电压和电流。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器

特性:VDS = -30V。 ID = -15A。 RDS(on)@VGS = -10V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关

特性:VDS(V)=650V 。 ID = 7A 。 RDS(ON)≤ 1.4Ω (VGS = 10V)

特性:VDS = -30V。 IO = -6A。 RDS(on)@VGS = -10V < 48mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 80mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关

该MOSFET采用了独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关速度的优点,非常适合用于高效电源管理应用。

特性:VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关

YJQ40G10A-F1-1100HF

P沟道,-60V,-1.8A,500mΩ@-10V

NCE60P04R采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。

特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档。应用:移动计算。 负载开关

CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

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特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀锡,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤