海量元器件型号，
快速搜索匹配。

新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ

N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装

特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 23 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 85.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器

N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V

N沟道,200V,65A,25mΩ@10V

特性:TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用:笔记本电脑和移动计算。 适配器开关

特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 150°C工作温度。 无铅负载电镀,符合 R_D / R_S 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流

N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V

特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类

特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素。 根据J-STD-020标准MSL 1分类

小体积

小体积

N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V

N沟道,30V,1A,8Ω@4V

漏源耐压:30V 漏极电流:5.8A 大体积 N MOS

特性:低导通电阻:当 VDS = 60V,ID = 300mA,VGS = 10V 时,RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计,实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护

特性:高端开关。 低导通电阻。 低阈值。 快速开关速度。应用:驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统

特性:高密度单元设计,极低的导通电阻RDS(ON)。 坚固可靠。 外壳材料:模塑塑料

1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A适用于电源开关和信号控制