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特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关

P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 栅极具有ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关

特性:超低导通电阻:VDS = 30V,RDS(ON) ≤ 52mΩ @VGS = 10V,ID = 4A。 适用于PWM应用。 适用于负载开关应用。 表面贴装器件

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A

P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V

特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关

使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

特性:TrenchFET Power MOSFET。应用:Load Switch for Portable Devices。DC/DC Converter

特性:该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。应用:电池保护。 负载开关

这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造,该工艺经过特别设计,可最大限度地降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。

P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计,实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装

特性:BVDSS:30V。 RDS(ON):450mΩ。 ID:800mA。 与SI1304BDL-T1-GE3引脚完全兼容。应用:负载/电源开关。 接口开关

高细胞密度沟槽式N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证雪崩耐量,具备完整功能可靠性认证。

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特性:VDS max: 30V。 VGS max: ±12V。 RDS(on) max: 29mΩ @VGS=4.5V。 RDS(on) max: 37mΩ @VGS=2.5V

N沟 60W 0.3A

AO3401采用先进的沟槽技术,可实现极低的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。