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特性:N沟道:VDD = 30V,ID = 5.8A,RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V(典型值 = 24mΩ),RDS(ON) < 58mΩ @ VGS = 2.5V(典型值 = 35mΩ)。 P沟道:VDD = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 68mΩ @ VGS = -4.5V(典型值 = 53mΩ),RDS(ON) < 96mΩ @ VGS = -2.5V(典型值 = 75mΩ)。 无铅产品。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用:接口开关。 负载开关

SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。

P沟道,-30V,-10.5A,13.5mΩ@-10V,-10A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

沟槽功率MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤素标准

这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ,VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景,如电源管理、信号放大及开关控制等,确保系统高效运行。

WST30P06是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WST30P06符合RoHS标准和绿色产品要求,且已通过全功能可靠性认证。

N沟道

特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dV/dt额定。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

N沟道,60V,2.3A

使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷,栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品(符合ROHS和索尼259规格)。

P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V

N沟道,30V,4A,50mΩ@10V

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

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高密度电池设计,可实现极低的RDS。

特性:低导通电阻: -60mΩ @ VGS =-4.5V。 -90mΩ @ VGS =-2.5V。 -113mΩ @ VGS =-1.8V。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用,在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用,在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。