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二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
Infineon(英飞凌)SOT-23
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R+O(宏嘉诚)TO-252
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特性:VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
R+O(宏嘉诚)SOT-223
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P- 通道增强模式场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)TO-236AB
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P沟 -40V -12A
AOSDPAK
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这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
DIODES(美台)SOT-23
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N沟道,30V,1.4A,0.11Ω@10V
VISHAY(威世)SOT-323
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应用:DO-DC 转换器。负载开关。电源管理
TECH PUBLIC(台舟)SOP-8
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NCE4060K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
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MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
minos(迈诺斯)TO-252
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特性:100V,90A。 RDS(ON) < 7.7mΩ @VGS = 10V (典型值: 6.2mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 8.0mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
ALLPOWER(铨力)PDFN-8(5x6)
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新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
DIODES(美台)SOT-23
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特性:VDS = 60V。ID = 5A。RDS(on)@VGS = 10V < 42mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 50mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用:电池保护。负载开关
R+O(宏嘉诚)SOT-223
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特性:结工作温度为150°C。 开关速度快。 重复雪崩额定值提高。 先进的工艺技术。 超低导通电阻。 工作温度为50°C。 允许重复雪崩至最大结温
UMW(友台半导体)TO-252
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N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
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P沟道,-60V,-61A
MATSUKI(松木)TO-252-2(DPAK)
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CSD25402Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET
TI(德州仪器)VSONP-8(3.3x3.3)
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