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P沟道,-30V,-85A,4.5mΩ@-10V
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P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
CJAC80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计,在实现低栅极电荷的同时,提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
N沟道,400V,10A,550mΩ@10V
功率 MOSFET,60V,150A,2.4mΩ,单 N 沟道
特性:优化用于同步整流。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道,逻辑电平。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型DFN1010D - 3(SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
CSD18533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET
N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V
N沟道,40V,217A,1.2mΩ@10V
N沟道,80V,100A,5.7mΩ@10V
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特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
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该系列器件采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装
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