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P管/-20V/-2A/95mΩ/(典型125mΩ)

N沟道,60V,0.38A, 2.3Ω@10V

3400 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。3400 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。

RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可实现出色的导通电阻 RDS(ON),且栅极电荷较低。

带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,使该器件适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性,特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中,实现精准、稳定的功率控制和转换需求。

特性:VDS = 30V。 ID = 3.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 39mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 59mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关

N沟道 30V 100mA

适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

特性:小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 无卤。应用:开关

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

AO3401A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。AO3401A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

特性:ESD 保护。 低 RDS(on)。 表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准。应用:低端负载开关。 电平转换电路

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用,并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

特性:VDS = 20V。RDS(ON) = 300mΩ (typ.) @ VGS = 2.5V。RDS(ON) = 250mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V。ESD Protected up to 2KV。应用:负载/电源开关。接口开关

PMOS, -30V -4.2A ,RDS(ON)<72mΩ@VGS=-4.5V

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SOP-8塑封封装N沟道PowerTrenchMOS双场效应管。

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。