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这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。

N沟道,30V,5.8A,38mΩ@4.5V

9435采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

特性:30V, 10A,RDS(ON) < 10mΩ(VGS = 10V,典型值:8.5mΩ),RDS(ON) < 14mΩ(VGS = 4.5V,典型值:11mΩ)。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关

AP4438系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种超高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。SOT89封装在所有采用红外回流焊技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受青睐,适用于电压转换或开关应用

特性:低导通电阻。 小封装(VMT6)。 低电压驱动(1.2V驱动)。应用:开关

应用:电话机中的线路电流中断器。 高速和线路变压器驱动器

应用:Load/Power Switching。Interfacing Switching。Logic Level Shift

特性:RDS(ON) ≤ 215mΩ,Vgs@-10V。 RDS(ON) ≤ 260mΩ,Vgs@-4.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备

N沟道,60V,15A,30mΩ@10v

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:与其他型号引脚兼容。应用:负载/电源开关。 接口开关

NCE3401AY采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速开关。

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT323(SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V

N沟道,240V,110mA,14Ω@10V

P14C5N是一款过压保护(OVP)负载开关,其过压锁定(OVLO)阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时,该器件将关断内部MOSFET,断开输入(IN)与输出(OUT)的连接,以保护负载。当OVLO输入设置为低于外部OVLO选择电压时,P14C5N会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具备强大的100A连续电流处理能力,在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计,广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。

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