P沟道,-30V,-6.5A,46mΩ@-10V
AOSSOIC-8
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N沟道,60V,1.6A,140mΩ@10V
DIODES(美台)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用无铅超小 OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)DFN1006B-3
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此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。
onsemi(安森美)SOT-23-3
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特性:P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
Infineon(英飞凌)SOT-23
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特性:100V, 25A,RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 10V (典型值: 20mΩ),RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 30mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
ALLPOWER(铨力)PDFN3x3-8L
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N沟道,40V,3.6A,56mΩ@10V
Infineon(英飞凌)SOT-23
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CR4N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
CRMICRO(华润微)TO-252
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R+O(宏嘉诚)PDFN-8(5x6)
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这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
CJ(江苏长电/长晶)SOT-223
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R+O(宏嘉诚)TO-252
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R+O(宏嘉诚)PDFN-8(5x6)
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这款场效应管具有40A的电流承载能力和40V的电压耐受性,内阻典型值为10mΩ,适用于高效能应用。其P型设计确保了良好的电流传导性能,VGS为20V,适用于多种电路设计需求。选择它,可确保电路的稳定性和高效性。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-252-2L
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P沟道,-30V,-5A,0.042Ω@-10V
VISHAY(威世)SOT-23
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这款新一代 MOSFET 的设计旨在尽量降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
DIODES(美台)SO-8
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N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)SOT1215
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特性:VDS = -20V。 I0 = -10A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 20mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
R+O(宏嘉诚)SOT-223
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此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
onsemi(安森美)SO-8
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特性:VDS = 30V。 ID = 150A。 RDS(ON) = 2.5mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 3.3mΩ(VGS = 4.5V)。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关
TECH PUBLIC(台舟)PowerDFN-8(5x6)
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特性:有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试
VISHAY(威世)SOT-23-3
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