海量元器件型号，
快速搜索匹配。

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

公开页面暂无产品说明。

WSD40L60DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD40L60DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100%保证符合EAS标准。

P沟道,40V,40A.

P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无铅超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。 适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。 此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

P沟道,-60V,-1.9A,0.3Ω@-10V

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=100A Rds=3.0mΩ(3.6mΩ最大) DFN5x6封装;

N沟道,500V,4.5A,1.5Ω@10V

P沟道,40V,70A.

N沟道,40V,202A,4mΩ@10V

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性:针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性

公开页面暂无产品说明。

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

P沟道,-40V,-4.4A,0.077Ω@-10V

公开页面暂无产品说明。

N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装