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使用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

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WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。

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特性:N 沟道,正常电平。 快速二极管 (FD),降低 Qm。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175°C工作温度。 无铅镀铅,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤

N沟道,500V,20A,270mΩ@10V

特性:100V/380A,导通电阻(RDS(ON))典型值为 1.2mΩ(VGS = 10V 时)。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件(符合 RoHS 标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理

该系列器件采用超级沟槽 II 技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

N沟道

N沟道,650V,47A,70mΩ@10V

SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。

特性:先进的沟槽工艺技术。电压控制小信号开关。应用:小型伺服电机控制。功率MOSFET栅极驱动器

N沟道,60V,115mA,7.5Ω@5V

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@4.5V,2.8A

3401是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。3401符合RoHS标准和绿色产品要求,且经过全面功能可靠性认证。

场效应管(MOS)

N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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