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AP1002采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(Rds(on))。它可应用于多种领域。

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特性:较低的导通电阻。可靠且耐用

N沟道

特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。 漏极电流ID = 4A。 导通电阻RDS(ON) < 52mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻RDS(ON) < 65mΩ(VGS = 4.5V)。 导通电阻RDS(ON) < 85mΩ(VGS = 2.5V)。应用:负载开关。 PWM应用

特性:高速开关。 小封装 (VMT3)。 低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。应用:开关

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FDN338P是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。FDN338P符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。

特性:高密度单元设计,实现极低的RDS(on)。 坚固可靠。应用:直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等

带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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N沟道,30V,0.1A,8Ω@10V

特性:VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = 4.5V。应用:负载开关。 PWM应用

特性:高密度单元设计,实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

特性:超低导通电阻:VDS = 40V,RDS(ON) = 56mΩ(VGS = 10V,ID = 3.6A时)。 适用于低功耗直流到直流转换器应用。 适用于负载开关应用。 表面贴装器件

应用:Load/Power Switching。Interfacing Switching。Battery Management for Ultra Small Portable。Logic Level Shift

2个P沟道,-30V,-5.8A,40mΩ@-10V,-5.0A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

特性:先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用:负载/电源开关。 接口

特性:60V。4.0A。RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -10V。RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V。高密单元设计,极低的RDS(ON)。坚固可靠

P沟道,-60V,-185mA,6Ω@-10V