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P沟道,-30V,-2.7A,190mΩ@-10V

特性:TrenchFET功率MOSFET。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,具有极低的导通电阻,适用于负载开关和电池保护应用。

沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS标准且无卤

应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换

15N10是高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。15N10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过了雪崩能量耐量(EAS)测试,并通过了全功能可靠性认证。

P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V

是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。符合RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。100%保证EAS,有绿色器件可选,具有超低栅极电荷,能出色降低CdV/dt效应,采用先进的高单元密度沟槽技术。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

公开页面暂无产品说明。

P沟道,-30V,-2.6A,115mΩ@-10V

40P30是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。40P30符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过EAS认证,具备全面的功能可靠性。

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

特性:采用先进的沟槽技术设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 符合RoHS标准。 快速开关。 低反向传输电容。 低导通电阻。 低栅极电荷

特性:VDS = 30V。ID = 80A。RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。高密度单元设计,实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。应用:电池保护。负载开关

这新一代产品采用先进的平面技术 MOSFET,具备出色的高电压性能和快速开关特性,非常适合小信号和电平转换应用。

N沟道,100V,3A,136毫欧@10V。

为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计,具备低导通电阻及卓越的开关性能,是各类中低压电路的理想选择,有效提升系统能效并确保稳定运行。

2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度,以及超小型表面贴装封装,因此适合很多不同的应用。

结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的导通电阻。 该器件适用于开关电源和通用应用中的高端开关。 符合RoHS和无卤标准。