N沟道
DIODES(美台)SC-59
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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类型 N 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 15.2 导通电阻(mΩ) 6 输入电容(Ciss) 750 反向传输电容Crss(pF) 37 栅极电荷(Qg) 12
Techcode(泰德)DFN-8(3x3)
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N沟道,100V,3A,160毫欧
NCE(无锡新洁能)SOT-89-3L
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特性:超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdvV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用:PWM应用。 负载开关
HL(富海微)TO-252
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广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中,实现高效能、稳定可靠的功率控制。
JSMSEMI(杰盛微)SOT-23
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新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
DIODES(美台)TSOT-26
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WSP6956是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
WINSOK(微硕)SOP-8
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N沟道,55V,17A,70mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
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N沟道
VISHAY(威世)PowerPAK1212-8
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P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
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特性:VDS = 60V。ID = 4A。RDS(on)@VGS = 10V < 78mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 100mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用:电池保护。负载开关
R+O(宏嘉诚)SOT-223
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N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
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特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用:DC/DC转换器。 升压转换器
VISHAY(威世)SOT-23
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P沟道,-55V,-12A,175mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
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CJAE28SN06采用SGT技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
CJ(江苏长电/长晶)DFNWB-8L(3x3)
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高密单元设计,实现超低导通电阻;完全表征雪崩电压和电流;改善直通FOM;简单的驱动要求;小封装尺寸;表面贴装器件
SINO-IC(光宇睿芯)TO-252
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P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V
Infineon(英飞凌)SOT-23
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N沟道、增强型、逻辑电平场效应功率晶体管。该器件的阈值电压极低,开关速度极快,非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH105采用SOT23超小型表面贴装封装
Nexperia(安世)SOT-23
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R+O(宏嘉诚)TO-252
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CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
Infineon(英飞凌)TO-252-3
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