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P沟道 30V 9.1A ,Rds<20mΩ@Vgs=-10V超高性价比

特性:SOT-23 (TO-236)封装。 TrenchFET功率MOSFET,通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 无铅和无卤

P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

特性:TrenchFET功率MOSFET。低热阻PowerPAK 1212-8封装,高度1.07 mm。PWM优化。100%进行Rg和UIS测试。通过AEC-Q101认证。可焊侧翼端子

N沟道,75V,75A,13mΩ@10V

特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 5.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器

P沟道,30V,30A.

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装

N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

N沟道

特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:笔记本电池充电。 笔记本适配器开关

N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

特性:TrenchFET功率MOSFET。100% Rg和UIS测试。AEC-Q101认证。材料分类:如需了解合规定义,请参阅相关文档

特性:60V/210A-RDS(ON) = 1.6mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件(符合 RoHS 标准)。应用:高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用

NCEP60T12AK采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

N沟道

功率 MOSFET,40V,0.82 m,330 A,单 N 沟道

双标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双电源-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。

特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 28 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.1 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 75 V)。 增强模式:VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器