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R+O(宏嘉诚)TOLL-8
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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使用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 QG 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
NCE(无锡新洁能)DFN5X6-8L
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N沟道 100V 120A
Infineon(英飞凌)D2PAK
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N沟道950 V、0.65 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
ST(意法半导体)D2PAK
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:N- 沟道,正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 优异的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 根据 LTSD-020 标准为 MSL-1 级分类
Infineon(英飞凌)HSOF-8
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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VISHAY(威世)TO-263(D2PAK)
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带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
ElecSuper(静芯)SOT-23
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N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
TDSEMIC(拓电半导体)SOT-23
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漏源电压:50V 连续漏极电流:0.22A 导通电阻:6Ω@4.5V 耗散功率:350W 阀值电压:1.5V 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
baocheng(宝乘)SOT-23
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小体积
FOSAN(富捷/富信)SOT-23
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SOT23-3塑封封装 N 道 MOS 场效应管。
ALLPOWER(铨力)SOT-23-3
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1个N沟道 耐压:20V 电流:6A适用于电源开关和信号控制
GOODWORK(固得沃克)SOT-23
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特性:TrenchFET功率MOSFET。 湿度敏感度:符合J-STD-020的3级。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
ALJ(龙晶微)SOT-23
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SOT23 塑封封装 N 道 MOS 场效应管。
ALLPOWER(铨力)SOT-23
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特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω(最大值)(@ VGS = 4V);RDS(ON) = 6.0Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。应用:负载开关应用
TOSHIBA(东芝)SOT-723
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MOSFET,P-channel 20/10V 3A VGS(th)=0.7V 64mΩ@3A&4.5V,SOT-23
BORN(伯恩半导体)SOT-23
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WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路
WILLSEMI(韦尔)SOT-323
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特性:TrenchFET Power MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
KUUSOT-23
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P沟道,-30V,-3.8A,46mΩ@-10V,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
ElecSuper(静芯)SOT23-3L
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N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小型OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-883-3
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