沟槽式低压功率MOSFET技术 用于实现低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
YANGJIE(扬杰)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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FOSAN(富捷/富信)SOT-23-3L
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N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V
HKT(合科泰)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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高单元密度沟槽式N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证雪崩耐量,具备完整功能可靠性认证。
XNRUSEMI(新锐)PDFN-8L(3.3x3.3)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。应用:电池保护。 开关应用
FUXINSEMI(富芯森美)SOT-23-6L
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P沟道,-20V,-2.7A,100mΩ@-4.5V
DIODES(美台)SOT-23
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小信号 MOSFET,60 V,310mA,单 N 沟道,SOT-23
onsemi(安森美)SOT-23
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MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23
BORN(伯恩半导体)SOT-23
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阈值电压VGS:±20
HL(富海微)TO-252
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SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。
ALLPOWER(铨力)SOP-8
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此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻,同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用,可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用,如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
onsemi(安森美)SOT-23-3L
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40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过EAS认证,具备完整功能且可靠性经过验证。
HL(富海微)PDFN-8(3x3)
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这款新一代MOSFET经过精心设计,在最大程度降低导通电阻(RDS(ON))的同时,还能保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
DIODES(美台)SOT-23
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-3
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4410将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
KUUSOP-8
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WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
WINSOK(微硕)SOP-8
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这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。
onsemi(安森美)SOT-23
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50NO6将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
KUUTO-252
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Nexperia(安世)DFN1006-3L
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N沟道
DIODES(美台)SOT-23
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