功率 MOSFET,60V,155 mΩ,单 N 沟道,逻辑电平,SOT?23
onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N沟道,20V,6.5A,25mΩ@4.5V
DIODES(美台)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:VDS(V) = 650 V。 ID = 1 A。 RDS(ON) = 8.5 Ω
UMW(友台半导体)SOT-223
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R+O(宏嘉诚)SOP-8
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N沟道,60V,1.2A,480mΩ@10V
Infineon(英飞凌)SOT-23
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这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。
onsemi(安森美)SOT-323
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N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V
Infineon(英飞凌)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
MDD(辰达半导体)TO-252
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N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V
AOSSOT-23
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这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
TECH PUBLIC(台舟)DFN2X2-6L
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N沟 30V 10.5A
AOSSOIC-8
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FDC5614P P沟道 60V 3A 丝印564P P-MOS场效应管场效应管
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-6
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特性:30V。 -30A。 RDS(ON) = 32mΩ @VGS=-12V。 RDS(ON) = 50mΩ @VGS=-4.5V。应用:负载电源开关。 接口开关
TECH PUBLIC(台舟)TO-252
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R+O(宏嘉诚)PDFN-8(3x3)
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N沟道,30V,3.6A,60mΩ@10V
VISHAY(威世)SOT-23
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采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供优异的Rps(on),可应用于多种应用领域。
JSMSEMI(杰盛微)TO-252
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采用先进的沟槽技术,提供低栅极电荷和出色的导通电阻。适用于广泛的功率转换应用。
UMW(友台半导体)SOP-8
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AOSDFN-8(3x3)
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N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
Infineon(英飞凌)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
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