这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合用于高效电源管理应用。
DIODES(美台)SOT-23
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。
JSMSEMI(杰盛微)SOT-223
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P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
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P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。
ElecSuper(静芯)PDFN-8L(3x3)
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特性:40V,-40A。 RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
ALLPOWER(铨力)PDFN-8(5x6)
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此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
onsemi(安森美)SOT-23
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特性:30V/84A,RDS(ON) = 3.3mΩ(典型值),VGS = 10V;RDS(ON) = 5.1mΩ(典型值),VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用:负载开关-锂电池保护板
HUAYI(华羿微)PDFN-8(5x6)
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AON7407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。符合RoHS标准 无卤素
AOSDFN-8(3x3)
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特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:DC/DC转换。 笔记本系统电源
VISHAY(威世)SO-8
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N沟道,55V,2A,140mΩ@10V
Infineon(英飞凌)SOT-223
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MOSFET
HUAYI(华羿微)PDFN5x6-8L
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R+O(宏嘉诚)PDFN-8(5x6)
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P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
Infineon(英飞凌)SOT-23
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P-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
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P沟道,-30V,-9A,18mΩ@-10V
AOSSOIC-8
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低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。
NH(纽航)TO-252
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P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-23
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N-CH
AOSDFN-8(3x3)
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P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V
AOSTO-252
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P沟道,-30V,-9A,0.032Ω@-10V
VISHAY(威世)SO-8
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